逐步进入台积电供应链 晶升股份领跑国产SiC设备赛道

1月16日，台积电2025年第四季度盈利超预期，宣布将2026年资本开支上调至520亿至560亿美元，较2025年的409亿美元大幅增长。行业研判分析，台积电加大资本支出这一举措，将为碳化硅（SiC）行业带来重要发展机遇，深耕SiC设备领域的晶升股份，凭借核心技术优势与前瞻布局，正精准卡位行业爆发窗口期。

据悉，SiC材料凭借优异散热性、高集成度及成本优化潜力，被视为台积电CoWoS封装中介层的最优替代材料，核心解决高性能GPU芯片的散热瓶颈等问题。

从技术层面看，SiC材料热导率达500W/mK，是硅材料的2-3倍，应用后可使GPU芯片结温降低20-30°C，既提升运行稳定性，又能缩小散热尺寸、降低30%散热成本，完美适配大功率芯片封装需求。

行业推演显示，若CoWoS封装自2028年起以35%复合增长率扩张，且SiC替代率达70%，至2030年全球12英寸SiC衬底需求将超230万片，等效6英寸衬底920万片，而2025年全球6英寸等效产能仅300万片，供需缺口显著，为设备厂商打开数倍增长空间。

晶升股份在SiC设备领域的深厚沉淀，已将技术优势转化为关键市场突破，成功间接切入台积电先进封装供应链。在2025年9月12-15日的投资者关系活动中，公司明确表示，下游客户数月前已向台积电送样，并逐步推进小批量供应，且该送样方向直指碳化硅作为先进封装中介层材料。

此次送样产品或专为CoWoS、SoW等先进封装中介层设计，结合行业趋势与台积电技术路线，大概率为12英寸碳化硅衬底，当前或处于热沉级SiC衬底导入阶段，后续将逐步升级为单晶SiC中介层，与台积电技术迭代节奏同频。需明确的是，晶升股份作为碳化硅晶体生长设备供应商，并非直接向台积电供货，而是通过为天岳先进等头部衬底厂商提供SiC单晶炉，深度参与台积电供应链生态，构筑起独特的产业链卡位优势。

晶升股份的核心竞争力源于长期技术深耕。公司扎根半导体长晶设备领域多年，累计拥有95项专利，其中发明专利38项，构建起晶体生长建模仿真、热场设计等八大核心技术体系。在大尺寸SiC设备领域，公司率先实现国产替代突破，8英寸碳化硅单晶炉已批量交付国内外客户，关键性能指标比肩国际同行；12英寸设备于2025年底完成小批量发货，填补了国产大尺寸SiC长晶设备空白，为下游客户布局高端衬底提供核心设备支撑。

丰富的产品矩阵进一步夯实公司行业地位。除大尺寸单晶炉外，公司水平式外延炉生长速率达≥60μm/h，膜厚均匀性优于1%，已获头部客户认可；双腔外延炉、多片式CVD设备等新品稳步推进，目标构建“长晶—外延—工艺服务”一站式平台。下游客户覆盖三安光电、东尼电子等行业龙头，形成稳定的产业链协同效应，为业绩增长提供坚实保障。

在国产替代浪潮与台积电加码先进封装的双重驱动下，SiC材料渗透率将加速提升，设备端需求率先迎来爆发。晶升股份凭借12英寸设备先发优势、台积电供应链卡位及完善的产品矩阵，有望充分承接行业红利，持续领跑国产SiC设备赛道，长期成长潜力值得期待。